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、招聘岗位：助理研究员，博士后，高级工程师，共2人
二、岗位职责：
助理研究员：GaN激光器外延生长与表征
博士后：GaN激光器外延生长与表征或芯片工艺
高级工程师：GaN激光器芯片工艺
三、岗位要求：
1，具有博士学位或硕士学位工作8年以上；
2，材料、物理或光电子等相关专业研究背景；
3，工作认真负责，具有较强的团队合作意识、责任心和独立开展科研工作的能力；
4，具有半导体激光器生长制备或者GaN基半导体材料生长及器件制备经验者优先。
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